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艾恩半导体申请离子注入角度校准方式及安拆专

  金融界2025年8月23日动静,国度学问产权局消息显示,公开号CN120527225A,申请日期为2025年05月。

  专利摘要显示,一种离子注入角度校准方式及安拆,涉及离子注入手艺范畴,包罗以下步调:S1:将治具放置到任一片库的肆意晶圆槽内;S2:节制片库从动成立线:节制机械手将治具正在晶圆槽挪动至定向台,节制定向台按照预设角度扭转,对治具进行定向;S4:节制机械手将治具自定向台挪动至靶台;若治具中的指针偏于零刻度线的角度跨越M,则施行步调S5;S5:节制定向台正在预设角度的根本上扭转一个弥补角度,完成离子注入角度的校准。无需进行复杂的成果拟合和阐发,便利快速且容易实施,可以或许无效降低角度监测以及校准的成本,了角度监测以及校准的精确性和靠得住性。




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